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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.46 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 85 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz |
| VCEsat-Max： | 2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5970E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N5971 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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| 2N5972 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5972 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5972 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5973 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5973 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5973 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5979 | ETC |
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| 2N5986 | MOTOROLA |
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12 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
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