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2N5989

更新时间: 2024-11-20 22:49:23
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摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 261K
描述
12 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40,60,80 VOLTS 100 WATTS

2N5989 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.81最大集电极电流 (IC):12 A
基于收集器的最大容量:300 pF集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):7
JEDEC-95代码:TO-127JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:100 W
最大功率耗散 (Abs):100 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):2 MHzVCEsat-Max:1.7 V
Base Number Matches:1

2N5989 数据手册

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