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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.77 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 15 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5971 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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| 2N5972 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5972 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5972 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5973 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5973 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5973 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5979 | ETC |
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| 2N5986 | MOTOROLA |
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12 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
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| 2N5986 | NJSEMI |
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SI PNP POWER BJT |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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