5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.73 |
| Is Samacsys： | N | JESD-609代码： | e0 |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 端子面层： | TIN LEAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5963TRA | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
|
| 2N5963TRB | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
|
| 2N5963TRC | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2N5963TRE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
|
| 2N5963TRELEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
|
| 2N5963TRG | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
|
| 2N5963TRH | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
|
| 2N5966 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 40A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, |
|
| 2N5966E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 40A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, |
|
| 2N5967 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 40A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-63, Metal, |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
