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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.73 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE | 基于收集器的最大容量： | 4 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 1200 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz | VCEsat-Max： | 0.2 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5966 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 40A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, |
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| 2N5966E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 40A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, |
|
| 2N5967 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 40A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-63, Metal, |
|
| 2N5967E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 40A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-63, Metal, |
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| 2N5968 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 40A I(C) | TO-210AE |
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| 2N5969 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 40A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin, |
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| 2N5969E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 40A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin, |
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| 2N5970 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N5970 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 P |
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| 2N5970 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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