是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.83 | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 6 A | 集电极-发射极最大电压: | 80 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 5 |
JEDEC-95代码: | TO-66 | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 200 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | PNP |
最大功率耗散 (Abs): | 40 W | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 5 MHz | VCEsat-Max: | 2 V |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N5954_10 | CENTRAL |
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COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | |
2N5954_13 | NJSEMI |
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Silicon N-P-N and P-N-P Medium-Power Transistors | |
2N5955 | SEME-LAB |
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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 | |
2N5955 | NJSEMI |
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Silicon N-P-N and P-N-P Medium-Power Transistors | |
2N5955 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors | |
2N5955 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors | |
2N5955 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors | |
2N5955 | CENTRAL |
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COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | |
2N5956 | CENTRAL |
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COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | |
2N5956 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |