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2N5961

更新时间: 2024-01-26 08:10:56
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CENTRAL 晶体小信号双极晶体管
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1页 66K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

2N5961 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.73其他特性:LOW NOISE
基于收集器的最大容量:4 pF集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):170
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
VCEsat-Max:0.2 VBase Number Matches:1

2N5961 数据手册

  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  
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