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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.76 | 最大集电极电流 (IC)： | 20 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JEDEC-95代码： | TO-61 | JESD-30 代码： | O-MUPM-D3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N5959 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-210AC |
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| 2N5959E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, |
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| 2N5960 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin, |
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| 2N5961 | FAIRCHILD | NPN General Purpose Amplifier |
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| 2N5961 | CENTRAL | NPN SILICON TRANSISTOR |
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| 2N5961 | TI | 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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