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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.74 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 6 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 5 | JEDEC-95代码： | TO-66 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 5 MHz |
| VCEsat-Max： | 2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5956E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 40V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, |
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| 2N5956LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 |
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| 2N5957 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-210AC |
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| 2N5957E3 | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| 2N5958 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, |
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| 2N5958E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, |
|
| 2N5959 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-210AC |
|
| 2N5959E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, |
|
| 2N5960 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin, |
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| 2N5961 | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN General Purpose Amplifier |
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