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2N5961L34Z

更新时间： 2024-11-21 15:31:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 295K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

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2N5961L34Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.66
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：150JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2N5961L34Z 数据手册

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Discr ete P OWER & Sign a l  
Tech n ologies  
2N5961  
TO-92  
C
B
E
NPN General Purpose Amplifier  
This device is designed for use as low noise, high gain, general  
purpose amplifiers requiring collector currents to 50 mA. Sourced  
from Process 07. See 2N5088 for characteristics.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Val60ue  
Units  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
60  
60  
V
V
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
8.0  
V
Collector Current - Continuous  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
100  
mA  
°C  
-55 to +150  
TJ, Tstg  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
2N5961  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Case  
625  
5.0  
83.3  
mW  
mW/°C  
°C/W  
Rθ  
JC  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
200  
Rθ  
°C/W  
JA  
1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N5961LEADFREE CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PI
2N5961PBFREE CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
2N5961TRA CENTRAL

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 		NPN SILICON TRANSISTOR

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