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2N5956

更新时间： 2024-01-24 00:19:31

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	53K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2N5956 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.74
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	5	JEDEC-95代码：	TO-66
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	5 MHz
VCEsat-Max：	2 V	Base Number Matches：	1

2N5956 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon PNP Power Transistors

2N5954 2N5955 2N5956

DESCRIPTION

·With TO-66 package

·Low collector-emitter saturation voltage

·Excellent safe operating area

·Complement to type 2N6372 2N6373 2N6374

APPLICATIONS

·Designed for driver circuits,switching

and amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

2N5954

2N5955

2N5956

2N5954

2N5955

2N5956

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

I_B

Base current

P_D

T_j

Total Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

150

-65~200

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

Thermal resistance junction to case

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

4.3

℃/W

JMnic

12 3

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