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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.02 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A |
| 基于收集器的最大容量： | 6 pF | 集电极-发射极最大电压： | 160 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 1.5 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.35 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | VCEsat-Max： | 0.2 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5551RLRAG | ONSEMI |
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Amplifier Transistors NPN Silicon |
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| 2N5551RLRE | MOTOROLA |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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| 2N5551RLRF | MOTOROLA |
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暂无描述 |
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| 2N5551RLRM | ONSEMI |
获取价格 |
Amplifier Transistors |
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| 2N5551RLRM | MOTOROLA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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| 2N5551RLRMG | ONSEMI |
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600mA, 160V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226AA, 3 P |
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| 2N5551RLRP | ONSEMI |
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Amplifier Transistors |
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| 2N5551RLRP | MOTOROLA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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| 2N5551RLRPG | ONSEMI |
获取价格 |
Amplifier Transistors NPN Silicon |
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| 2N5551RUBG | STMICROELECTRONICS |
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高可靠性NPN双极性晶体管160 V、0.5 A |
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