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2N5551RLRAG

更新时间： 2024-11-09 03:56:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 89K
描述
Amplifier Transistors NPN Silicon

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2N5551RLRAG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.24
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：160 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz

2N5551RLRAG 数据手册

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2N5550, 2N5551  
Preferred Device  
Amplifier Transistors  
NPN Silicon  
Features  
• These are Pb−Free Devices*  
http://onsemi.com  
COLLECTOR  
3
MAXIMUM RATINGS  
2
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
BASE  
Collector − Emitter Voltage  
V
CEO  
Vdc  
2N5550  
2N5551  
140  
160  
1
EMITTER  
Collector − Base Voltage  
V
CBO  
Vdc  
2N5550  
2N5551  
160  
180  
Emitter − Base Voltage  
V
6.0  
Vdc  
EBO  
TO−92  
CASE 29  
STYLE 1  
Collector Current − Continuous  
I
C
600  
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
D
1
1
2
2
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
P
1.5  
12  
W
mW/°C  
C
D
3
3
Derate above 25°C  
STRAIGHT LEAD  
BULK PACK  
BENT LEAD  
TAPE & REEL  
AMMO PACK  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J
−55 to +150  
°C  
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
MARKING DIAGRAM  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
R
q
JA  
JC  
R
q
83.3  
2N  
555x  
AYWW G  
G
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
RecommendedOperating Conditions may affect device reliability.  
x
= 0 or 1  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
WW = Work Week  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
downloadthe ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference  
Manual, SOLDERRM/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2007  
1
Publication Order Number:  
March, 2007 − Rev. 5  
2N5550/D  
123456

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2N5551RLRAG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N5551TF FAIRCHILD

完全替代

 NPN General-Purpose Amplifier
2N5551RLRPG ONSEMI

完全替代

 Amplifier Transistors NPN Silicon
2N5551RLRA ONSEMI

完全替代

 Amplifier Transistors

与2N5551RLRAG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N5551RLRE MOTOROLA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2N5551RLRF MOTOROLA

获取价格

 		暂无描述
2N5551RLRM ONSEMI

获取价格

 		Amplifier Transistors
2N5551RLRM MOTOROLA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2N5551RLRMG ONSEMI

获取价格

 		600mA, 160V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226AA, 3 P
2N5551RLRP ONSEMI

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 		Amplifier Transistors
2N5551RLRP MOTOROLA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2N5551RLRPG ONSEMI

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 		Amplifier Transistors NPN Silicon
2N5551RUBG STMICROELECTRONICS

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 		高可靠性NPN双极性晶体管160 V、0.5 A
2N5551RUBT STMICROELECTRONICS

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