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2N5550S

更新时间: 2024-11-26 23:16:11
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KEC 晶体晶体管光电二极管高压局域网
页数 文件大小 规格书
2页 153K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE)

2N5550S 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.62Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.6 A
集电极-发射极最大电压:140 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.35 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

2N5550S 数据手册

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