2N4341

更新时间： 2024-11-09 06:24:23

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威世 - VISHAY		晶体小信号场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	53K
描述
N-Channel JFETs

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2N4341 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BCY	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.37	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	GATE	配置：	SINGLE
最大漏源导通电阻：	800 Ω	FET 技术：	JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：	3 pF	JEDEC-95代码：	TO-206AA
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N4341 数据手册

2N4338/4339/4340/4341

Vishay Siliconix

N-Channel JFETs

PRODUCT SUMMARY

Part Number V_GS(off)(V) V_(BR)GSSMin (V) g_fsMin (mS) I_DSSMax (mA)

2N4338

2N4339

2N4340

2N4341

–0.3 to –1

–0.6 to –1.8

–1 to –3

–50

0.6

0.8

1.3

0.6

1.5

3.6

–2 to –6

FEATURES

BENEFITS

APPLICATIONS

D Low Cutoff Voltage: 2N4338 <1 V

D High Input Impedance

D Full Performance from Low-Voltage

D High-Gain, Low-Noise Amplifiers

Power Supply: Down to 1 V

D Low-Current, Low-Voltage

D Low Signal Loss/System Error

Battery-Powered Amplifiers

D Very Low Noise

D High System Sensitivity

D Infrared Detector Amplifiers

D High Gain: A_V= 80 @ 20 mA

D High-Quality Low-Level Signal

D Ultrahigh Input Impedance

Amplification

Pre-Amplifiers

DESCRIPTION

The 2N4338/4339/4340/4341 n-channel JFETs are designed

for sensitive amplifier stages at low- to mid-frequencies. Low

cut-off voltages accommodate low-level power supplies and

low leakage for improved system accuracy.

The TO-206AA (TO-18) package is hermetically sealed and

suitable for military processing (see Military Information). For

similar products in TO-226AA (TO-92) and TO-236 (SOT-23)

packages, see the J/SST201 series data sheet.

TO-206AA

(TO-18)

G and Case

Top View

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Gate-Source/Gate-DrainVoltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –50 V

Forward Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 mA

Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65 to 200_C

Operating Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 to 175_C

Lead Temperature ( / ” from case for 10 sec.) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300_C

Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300 mW

Notes

a. Derate 2 mW/_C above 25_C

For applications information see AN102 and AN106.

Document Number: 70240

S-04028—Rev. E, 04-Jun-01

www.vishay.com

7-1

12 3 4 5 6

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2N4341 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N4338	CALOGIC	功能相似	N-Channel JFET Low Noise Amplifier

与2N4341相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N4341G	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-206A
2N4341LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO
2N4342	NJSEMI	获取价格	LOW NOISE VOLTAGE
2N4343	NJSEMI	获取价格	LOW NOISE VOLTAGE
2N4346	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 120V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3
2N4347	COMSET	获取价格	HIGH POWER INDUSTRIAL TRANSISTORS
2N4347	MOSPEC	获取价格	POWER TRANSISTORS
2N4347	BOCA	获取价格	HIGH-POWER INDUSTRIAL TRANSISTORS
2N4347	RENESAS	获取价格	5A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
2N4348	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 120V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3

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