2N4352

更新时间： 2024-11-30 22:35:51

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CALOGIC		晶体开关放大器小信号场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	23K
描述
P-Channel Enhancement Mode MOSFET Amplifier/Switch

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2N4352 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-72
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	1.73
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SUBSTRATE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	25 V
最大漏极电流 (ID)：	0.03 A	最大漏源导通电阻：	600 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	1.3 pF
JEDEC-95代码：	TO-72	JESD-30 代码：	O-MBCY-W4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N4352 数据手册

P-Channel Enhancement Mode

MOSFET Amplifier/Switch

CORPORATION

2N4352

FEATURES

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

(T_A= 25^oC unless otherwise noted)

• Low ON Resistance

• Low Capacitance

Drain-Source Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V

Drain-Gate Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V

Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±30V

Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA

Storage Temperature Range . . . . . . . . . . . . . -65^oC to +200^oC

Operating Temperature Range . . . . . . . . . . . -55^oC to +150^oC

Lead Temperature (Soldering, 10sec) . . . . . . . . . . . . . +300^oC

Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW

Derate above 25^oC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.7mW/^oC

• High Gain

• P-Channel Complement to 2N4341

PIN CONFIGURATION

NOTE: Stresses above those listed under "Absolute Maximum

Ratings" may cause permanent damage to the device. These are

stress ratings only and functional operation of the device at these or

any other conditions above those indicated in the operational sections

of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum

rating conditions for extended periods may affect device reliability.

TO-72

ORDERING INFORMATION

Part

Package

Temperature Range

-55^oC to +150^oC

1503

2N4352

Hermetic TO-72

X2N4352 Sorted Chips in Carriers

-55^oC to +150^oC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25^oC unless otherwise specified)

SYMBOL

PARAMETER

MIN

MAX

UNITS

TEST CONDITIONS

I_D= -10µA, V_GS= 0

V_(BR)DSX

Drain-Source Breakdown Voltage

-25

Vdc

-10

nAdc

µAdc

_DS= -10V, V_GS= 0, T_A= 25^oC

_DS= -10V, V_GS= 0, T_A= 150^oC

I_DSS

Zero-Gate-Voltage Drain Current

I_GSS

Gate Reverse Current

Gate Threshold Voltage

Drain-Source On-Voltage

On-State Drain Current

Drain-Source Resistance

Forward Transfer Admittance

Input Capacitance

±10

-5.0

-1.0

Vdc

V_GS= ±30V, V_DS= 0

V_GS(th)

V_DS(on)

I_D(on)

-1.0

-3.0

V_DS= -10V, I_D= -10µA

I_D= -2mA, V_GS= -10V

V_GS= -10V, V_DS= -10V

r_DS(on)

600

ohms

µmho

V_GS= -10V, I_D= 0, f = 1.0kHz

V_DS= -10V, I_D= 2.0mA, f = 1.0kHz

V_DS= -10V, V_GS= 0, f = 140MHz

V_DS= 0, V_GS= 0, f = 140MHz

V_D(sub)= -10V, f = 140kHz

| y_fs

C_iss

C_rss

1000

5.0

1.3

5.0

Reverse Transfer Capacitance

Drain-Substrate Capacitance

Turn-On Delay

C_d(sub)

t_d1

t_r

t_d2

t_f

Rise Time

I_D= -2.0mAdc, V_DS= -10Vdc

V_GS= -10V

Turn-Off Delay

Fall Time

100

CALOGIC CORPORATION, 237 Whitney Place, Fremont, California 94539, Telephone: 510-656-2900, FAX: 510-651-3025

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2N4356	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT PNP 80V 1A
2N4357	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 240V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-18
2N4358	CENTRAL	获取价格	Small Signal Transistors
2N4358	ASI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PIN
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