是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.82 | 最大集电极电流 (IC): | 1 A |
集电极-发射极最大电压: | 60 V | 配置: | SINGLE |
JESD-30 代码: | O-PBCY-W3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 极性/信道类型: | PNP |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 500 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N4356 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 80V 1A | |
2N4357 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 240V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 | |
2N4358 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors | |
2N4358 | ASI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PIN | |
2N4358LEADFREE | CENTRAL |
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暂无描述 | |
2N4359 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors | |
2N4359 | ASI |
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Transistor | |
2N4359LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, | |
2N4360 | NJSEMI |
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LOW NOISE VOLTAGE | |
2N4361 | POWEREX |
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Phase Control SCR 70 Amoeres Average(110 RMS) 1400 Volts |