是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-72 |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.95 | 风险等级: | 1.69 |
外壳连接: | SUBSTRATE | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 25 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.03 A |
最大漏极电流 (ID): | 0.1 A | 最大漏源导通电阻: | 300 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 1.3 pF |
JEDEC-95代码: | TO-72 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 0.3 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N4351_TO-72 | MICROSS |
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an enhancement mode N-Channel Mosfet | |
2N4352 | NJSEMI |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET | |
2N4352 | CALOGIC |
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P-Channel Enhancement Mode MOSFET Amplifier/Switch | |
2N4352 | MICROSS |
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an enhancement mode N-Channel Mosfet | |
2N4352_TO-72 | MICROSS |
获取价格 |
an enhancement mode N-Channel Mosfet | |
2N4354 | ASI |
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Transistor | |
2N4354 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 60V 1A | |
2N4355 | ASI |
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Transistor | |
2N4355 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 60V 1A | |
2N4356 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 80V 1A |