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2N4250A

更新时间: 2024-11-06 22:45:03
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CENTRAL 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 67K
描述
Silicon PNP Transistors designed for low level - low nosie amplifier applications

2N4250A 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:not_compliant
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.85
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):250
JEDEC-95代码:TO-106JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

2N4250A 数据手册

  
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  

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