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2N4261UB

更新时间： 2024-11-23 22:19:27

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描述
Chip Type 2C4261 Geometry 0014 Polarity PNP

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2N4261UB 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.16
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	集电极-发射极最大电压：	15 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JESD-30 代码：	R-CDSO-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	3.5 ns	最大开启时间（吨）：	2.5 ns
Base Number Matches：	1

2N4261UB 数据手册

Data Sheet No. 2C4261

Ge ne ric Pa c ka ge d Pa rts :

2N4260, 2N4261

Chip Type 2C4261

Geometry 0014

Polarity PNP

Chip type 2C4261 by Semicoa Semi-

conductors provides performance

similar to these devices.

Product Summary:

APPLICATIONS:

Designed for low voltage, low gain RF

amplifier applications.

Part Numbers:

2N4261, 2N4261UB, 2N4260, 2N4260UB,

SD4261, SD4261F, SQ4261, SQ4261F

Features: Special Characteristics

ft = 1.8 GHz (typ) at 10 mA/10V

Mechanical Specifications

Top

Al - 12 kÅ min.

Au - 6.5 kÅ nom.

2.1 mils x 2.1 mils

Metallization

Backside

Emitter

Base

Bonding Pad Size

8 mils nominal

Die Thickness

Chip Area

16 mils x 16 mils

Silox Passivated

Top Surface

Electrical Characteristics

T_A= 25^oC

Parameter

BV_CEO

Test conditions

Min

Max

---

Unit

V dc

---

I_C= 10.0 mA, I_B= 0

I_C= 10 µA, I_E= 0

I_E= 10 µA, I_C= 0

BV_CBO

BV_EBO

h_FE

---

4.5

---

I_C= 10 mA dc, V_CE= 1.0 V dc

150

Due to limitations of probe testing, only dc parameters are tested. This must be done with pulse width less

than 300 µs, duty cycle less than 2%.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2N4264/D	ONSEMI	获取价格	General Purpose Transistor
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2N4264APMLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,