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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.74 |
| 基于收集器的最大容量： | 1.7 pF | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 700 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3663J18Z | FAIRCHILD |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| 2N3665 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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| 2N3665 | ASI |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, Metal, 3 Pin, TO-39, 3 |
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| 2N3665 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N3665LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI |
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| 2N3666 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N3667 | ASI |
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Transistor |
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| 2N3668 | VISHAY |
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12.5A SILICON CONTROLLED RECTIFIERS |
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| 2N3668 | CENTRAL |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER 16AMPS 220 THRU 800 VOLTS JEDEC TO-3 CASE |
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| 2N3668LEADFREE | CENTRAL |
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Silicon Controlled Rectifier, 16A I(T)RMS, 200V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-3, HERM |
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