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2N3665

更新时间: 2024-09-20 20:20:55
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页数 文件大小 规格书
5页 384K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, Metal, 3 Pin, TO-39, 3 PIN

2N3665 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-39
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.1
最大集电极电流 (IC):1 A配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40JEDEC-95代码:TO-39
JESD-30 代码:O-MBCY-W3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:175 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):5 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):60 MHz
Base Number Matches:1

2N3665 数据手册

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