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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Contact Manufacturer | 零件包装代码： | TO-5 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.46 | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 55 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 12 | JEDEC-95代码： | TO-5 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 8.8 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 1 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N3675E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 55V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, TO-5, 3 |
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| 2N3676 | SEME-LAB | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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| 2N3676 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 90V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, TO-5, 3 |
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| 2N3676 | ASI | Transistor |
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| 2N3676E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 90V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, TO-5, 3 |
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| 2N3677 | NJSEMI | SILICON EPITAXIAL JUNCTION |
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