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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | TO-5, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.77 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 55 V |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 12 | JEDEC-95代码： | TO-5 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N3676 | SEME-LAB | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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| 2N3676 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 90V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, TO-5, 3 |
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| 2N3676 | ASI | Transistor |
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| 2N3676E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 90V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, TO-5, 3 |
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| 2N3677 | NJSEMI | SILICON EPITAXIAL JUNCTION |
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| 2N3678 | CENTRAL | Small Signal Transistors |
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