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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.85 | 集电极-发射极最大电压： | 35 V |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3133LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI |
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| 2N3134 | NJSEMI |
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PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS |
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| 2N3134 | RAYTHEON |
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Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
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| 2N3134 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N3134LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI |
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| 2N3135 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N3135 | RAYTHEON |
获取价格 |
Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
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| 2N3136 | RAYTHEON |
获取价格 |
Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
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| 2N3136 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N3137 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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