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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 配置： | Single |
| 最高工作温度： | 100 °C | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.1 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 标称过渡频率 (fT)： | 12 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3163 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
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| 2N3163E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
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| 2N3164 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
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| 2N3164E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
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| 2N3165 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
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| 2N3165E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
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| 2N3166 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
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| 2N3166E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
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| 2N3167 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-53 |
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| 2N3168 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-53 |
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