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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.46 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 最小直流电流增益 (hFE)： | 12 |
| JEDEC-95代码： | TO-61 | JESD-30 代码： | O-MUPM-D3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3165E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
|
| 2N3166 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
|
| 2N3166E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
|
| 2N3167 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-53 |
|
| 2N3168 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-53 |
|
| 2N3169 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-53 |
|
| 2N316A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 |
|
| 2N317 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 6V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-5 |
|
| 2N3170 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-53 |
|
| 2N3171 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin |
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