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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-X3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 12 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-X3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 1 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N3171 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin |
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| 2N3171E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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| 2N3172 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin |
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| 2N3173 | APITECH | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 P |
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| 2N3173E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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| 2N3174 | SEME-LAB | Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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