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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.46 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 12 | JEDEC-95代码： | TO-61 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3163E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
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| 2N3164 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
|
| 2N3164E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
|
| 2N3165 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
|
| 2N3165E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
|
| 2N3166 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
|
| 2N3166E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
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| 2N3167 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-53 |
|
| 2N3168 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-53 |
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| 2N3169 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-53 |
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