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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Contact Manufacturer | 零件包装代码： | BCY |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.4 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 35 V | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JEDEC-95代码： | TO-18 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N3136 | RAYTHEON | Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
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| 2N3136 | CENTRAL | Small Signal Transistors |
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| 2N3137 | CENTRAL | Small Signal Transistors |
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| 2N3137 | NJSEMI | NPN SILICON ANNULAR TRANSISTORS |
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| 2N3137LEADFREE | CENTRAL | RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO |
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| 2N3139 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 2A I(C) | STR-10 |
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