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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | TO-18, 3 PIN | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.4 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 35 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JEDEC-95代码： | TO-18 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.4 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 150 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 75 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3136 | RAYTHEON |
获取价格 |
Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
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| 2N3136 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
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| 2N3137 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
|
| 2N3137 | NJSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON ANNULAR TRANSISTORS |
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| 2N3137LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO |
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| 2N3139 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 2A I(C) | STR-10 |
|
| 2N3140 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 2A I(C) | STR-10 |
|
| 2N3141 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 2A I(C) | STR-10 |
|
| 2N3142 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 2A I(C) | STR-1/4 |
|
| 2N3143 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 2A I(C) | STR-1/4 |
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