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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.92 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 15 A | 集电极-发射极最大电压： | 140 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 100 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | GERMANIUM | 标称过渡频率 (fT)： | 0.2 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3147 | TI |
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15A, 160V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR |
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| 2N3149 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 70A I(C) | STR-1/2 |
|
| 2N315 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-5 |
|
| 2N3150 | NJSEMI |
获取价格 |
SPRINGFIELD NEW JERSEY 07081 |
|
| 2N3151 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 70A I(C) | STR-1/2 |
|
| 2N315A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 |
|
| 2N316 | DIGITRON |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,10V V(BR)CEO,200MA I(C),TO-5 |
|
| 2N3163 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
|
| 2N3163E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
|
| 2N3164 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
|
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