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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | TO-5, 3 PIN | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.4 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A | 集电极-发射极最大电压： | 35 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-5 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.6 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 150 ns | 最大开启时间（吨）： | 75 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3134LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI |
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| 2N3135 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N3135 | RAYTHEON |
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Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
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| 2N3136 | RAYTHEON |
获取价格 |
Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
|
| 2N3136 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
|
| 2N3137 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
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| 2N3137 | NJSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON ANNULAR TRANSISTORS |
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| 2N3137LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO |
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| 2N3139 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 2A I(C) | STR-10 |
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| 2N3140 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 2A I(C) | STR-10 |
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