5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3146 | TI |
获取价格 |
15A, 140V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR |
|
| 2N3147 | TI |
获取价格 |
15A, 160V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR |
|
| 2N3149 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 70A I(C) | STR-1/2 |
|
| 2N315 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-5 |
|
| 2N3150 | NJSEMI |
获取价格 |
SPRINGFIELD NEW JERSEY 07081 |
|
| 2N3151 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 70A I(C) | STR-1/2 |
|
| 2N315A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 |
|
| 2N316 | DIGITRON |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,10V V(BR)CEO,200MA I(C),TO-5 |
|
| 2N3163 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
|
| 2N3163E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
