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2N1131LE3

更新时间： 2024-09-21 10:36:27

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	125K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5,

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2N1131LE3 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.33	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-5
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON

2N1131LE3 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland

Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298

LOW POWER PNP SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/177

DEVICES

LEVELS

JAN

JANTX

JANTXV

2N1131

2N1131L

2N1132

2N1132L

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Collector-Emitter Voltage

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Vdc

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Vdc

5.0

Vdc

Collector Current

600

mAdc

Total Power Dissipation

@ T_A= +25°C ⁽¹⁾

@ T_C= +25°C ⁽²⁾

0.6

2.0

P_T

TO-39

2N1131, 2N1132

Operating & Storage Junction Temperature Range

T_J, T_stg

-65 to +200

°C

NOTES:

1/ Derate linearly 3.43mW/°C for T_A> +25°C

2/ Derate linearly 11.4mW/°C for T_C> +25°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

OFF CHARACTERTICS

Symbol

Min.

Max.

Unit

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10mAdc

V_(BR)CEO

Vdc

Collector- Base Breakdown Voltage

I_C= 10µAdc

TO-5

2N1131L, 2N1132L

V_(BR)CBO

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 5.0Vdc

I_EBO

100

µAdc

mAdc

Collector-Emitter Cutoff Current

I_CER

V_CE= 50Vdc, R_BE 10 ohms

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 50Vdc

1.0

µAdc

I_CBO

_CB= 30Vdc

T4-LDS-0187 Rev. 1 (101882)

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