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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.78 | 最大集电极电流 (IC)： | 6 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N1137A | NJSEMI |
获取价格 |
GE PNP POWER BJT |
|
| 2N1137B | NJSEMI |
获取价格 |
SILICON PNP TRANSISTOR |
|
| 2N1138 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-3 |
|
| 2N1138A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 70V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-3 |
|
| 2N1138B | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-3 |
|
| 2N1140 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | TO-9 |
|
| 2N1142 | TI |
获取价格 |
100mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| 2N1144 | NJSEMI |
获取价格 |
SILICON PNP TRANSISTOR |
|
| 2N1145 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 18V V(BR)CEO | 200MA I(C) | CAN |
|
| 2N1146 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 38V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3 |
|
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