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2N1132

更新时间： 2024-02-22 14:17:18

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SILICON PLANAR PNP TRANSISTOR

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2N1132 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.11
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-5	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.6 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	60 MHz	Base Number Matches：	1

2N1132 数据手册

SILICON PLANAR

PNP TRANSISTOR

2N1132

•

High Speed Switching

Hermetic TO-39 Metal package.

Ideally suited for Small Signal General Purpose

and Switching Applications

•

Screening Options Available

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)

Collector – Base Voltage

Collector – Emitter Voltage

Emitter – Base Voltage

-50V

CBO

CEO

EBO

-40V

-5V

Continuous Collector Current

Total Power Dissipation at

-600mA

600mW

T = 25°C

Derate Above 25°C

3.4mW/°C

T = 25°C

Total Power Dissipation at

Derate Above 25°C

11.4mW/°C

-65 to +200°C

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

stg

THERMAL PROPERTIES

Symbols

Parameters

Min.

Typ. Max. Units

Thermal Resistance, Junction To Ambient

Thermal Resistance, Junction To Case

292

°C/W

θJA

87.5

θJC

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Document Number 8069

Issue 1

Website: http://www.semelab-tt.com

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