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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.62 |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 90 |
| JESD-609代码： | e0 | 极性/信道类型： | PNP |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N1132L | MICROSEMI |
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LOW POWER PNP SILICON TRANSISTOR |
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| 2N1132LE3 | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5 |
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| 2N1136 | NJSEMI |
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SILICON PNP TRANSISTOR |
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| 2N1136A | NJSEMI |
获取价格 |
SILICON PNP TRANSISTOR |
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| 2N1136B | SMSC |
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Power Bipolar Transistor, 75V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-3, Metal, 2 Pin, TO- |
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| 2N1136B | NJSEMI |
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SILICON PNP TRANSISTOR |
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| 2N1137 | NJSEMI |
获取价格 |
SILICON PNP TRANSISTOR |
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| 2N1137A | NJSEMI |
获取价格 |
GE PNP POWER BJT |
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| 2N1137B | NJSEMI |
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SILICON PNP TRANSISTOR |
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| 2N1138 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-3 |
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