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2N1132CSM

更新时间： 2024-09-20 07:28:11

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SEME-LAB		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
2页	43K
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HIGH SPEED MEDIUM POWER

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2N1132CSM 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DLCC
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-XDSO-N3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.14
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-XDSO-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	最大关闭时间（toff）：	105 ns
最大开启时间（吨）：	40 ns	Base Number Matches：	1

2N1132CSM 数据手册

2N1132CSM

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

HIGH SPEED

MEDIUM POWER

PNP SWITCHING TRANSISTOR

FEATURES

1.02 0.10

(0.04 0.004)

0.51 0.10

(0.02 0.004)

0.31

(0.012)

rad.

• SILICON PNP TRANSISTOR.

• HIGH SPEED SWITCHING

• SCREENING OPTIONS AVAILABLE

1.91 0.10

(0.075 0.004)

APPLICATIONS

1.40

(0.055)

max.

0.31

(0.012)

rad.

3.05 0.13

(0.12 0.005)

• SMALL SIGNAL GENERAL PURPOSE

AND SWITCHING APPLICATIONS

LCC1 PACKAGE

Pad 1 - Base Pad 2 - Emitter Pad 3 - Collector

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

T_CASE= 25°C unless otherwise stated

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector - Base Voltage

50V

40V

Collector - Emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter – Base Voltage (I_C= 0)

Continuous Collector Current

Total Power Dissipation at

600mA

P_D

T_Amb= 25°C

400mW

2.7mW/°C

Derate Above 25°C

T_stg,T_J

Operating and Storage Temperature Range

-55 to +175°C

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