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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.5 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2160 | SANYO |
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Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK2161 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK2162 | TOSHIBA |
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N CHANNEL MOS TYPE (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SK2162(2-7B1B) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 1 A, 180 V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-7B1B, SC-64, 3 PIN, FET General Pur |
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| 2SK2162(2-7J1B) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 1 A, 180 V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-7J1B, 3 PIN, FET General Purpose Po |
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| 2SK2162(SM) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,180V V(BR)DSS,1A I(D),TO-252 |
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| 2SK2162_06 | TOSHIBA |
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N CHANNEL MOS TYPE (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SK2162TE16R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 180 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK2163 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-220VAR |
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| 2SK2164 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-263 |
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