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2SB707

更新时间： 2024-01-11 06:28:21

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	126K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB707 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Base Number Matches：	1

2SB707 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB707 2SB708

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

-60

-80

TYP.

MAX

UNIT

2SB707

2SB708

Collector-emitter

breakdown voltage

V_(BR)CEO

I_C=-10mA; I_B=0

V_CEsat

V_BEsat

I_CBO

Collector-emitter saturation voltage I_C=-5A;I_B=-0.5 A

-0.5

-1.5

-10

Base-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

I_C=-5A;I_B=-0.5 A

V_CB=-60V; I_E=0

V_EB=-5V; I_C=0

μA

I_EBO

-10

h_FE-1

I_C=-3A ; V_CE=-1V

I_C=-5A ; V_CE=-1V

200

h_FE-2

DC current gain

h_FE-2classifications

40-80

60-120

100-200

123

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