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2SB707_15

更新时间： 2022-02-26 13:39:38

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锦美电子 - JMNIC		/
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描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB707_15 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB707 2SB708

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Complement to type 2SD568/569

APPLICATIONS

·For low frequency power amplifier

low speed switching industrial use

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-80

UNIT

V_CBO

2SB707

2SB708

-60

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

-80

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current

Collector current-peak

Base current

Open collector

-7

-15

-3.5

1.5

T_a=25℃

T_C=25℃

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3

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