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2N2221

更新时间： 2024-01-31 08:06:56

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COMSET		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
4页	84K
描述
SWITCHING SILICON TRANSISTORS

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2N2221 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.65	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	MO-041BB
JESD-30 代码：	R-CDSO-N6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	Base Number Matches：	1

2N2221 数据手册

NPN 2N2221 – 2N2221A

2N2222 – 2N2222A

SWITCHING SILICON TRANSISTORS

The 2N2221-A and 2N2222-A are NPN transistors mounted in TO-18 metal case .

They are designed for high-speed switching applications and feature useful current

gain over a wide range of collector current, low leakage currents and low saturation

voltages.

Compliance to RoHS

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Value

Symbol

Ratings

Unit

2N2221 2N2221A

2N2222 2N2222A

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

800

0.5

_amb= 25°

P_D

Total Power Dissipation

T_case= 25°

1.8

T_J

Junction Temperature

175

°C

T_Stg

Storage Temperature range

-65 to +200

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

R_thJ-a

Ratings

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to ambient in free air

Thermal Resistance, Junction to case

°C/W

R_thJ-c

187.5

°C/W

1 | 4

12 3 4

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