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1SS226(T5LTST,F)

更新时间： 2024-02-24 09:19:01

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东芝 - TOSHIBA		超快恢复二极管快速恢复二极管测试光电二极管
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Rectifier Diode

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1SS226(T5LTST,F) 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.65	应用：	ULTRA FAST RECOVERY
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.2 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	最大非重复峰值正向电流：	2 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大功率耗散：	0.15 W	参考标准：	AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：	85 V	最大反向电流：	0.5 µA
最大反向恢复时间：	0.004 µs	反向测试电压：	80 V
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

1SS226(T5LTST,F) 数据手册

1SS226

4. Absolute Maximum Ratings (Note) (Unless otherwise specified, Ta = 25 )

Characteristics

Peak reverse voltage

Symbol

Note

Rating

Unit

VRM

Reverse voltage

Peak forward current

IFM

(Note 1)

300

Average rectified current

Power dissipation

100

(Note 2)

150

Non-repetitive peak forward surge current

Junction temperature

Storage temperature

IFSM

(Note 1), (Note 3)

125



Tstg

-55 to 125

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Note 1: Unit rating. Total rating = Unit rating × 70%

Note 2: Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 mm × 20 mm, Pad dimension of 4 mm × 4 mm.

Note 3: Measured with a 10 ms pulse.

5. Electrical Characteristics (Unless otherwise specified, Ta = 25 )

Characteristics

Forward voltage

Symbol

Test Condition

Min

Typ.

Max

Unit

VF(1)

VF(2)

VF(3)

IR(1)

IR(2)

IF = 1 mA

IF = 10 mA

IF = 100 mA

VR = 30 V

VR = 80 V



0.60

0.72

0.90



1.20

0.1

0.5

3.0

4.0

Reverse current

µA



Total capacitance

VR = 0 V, f = 1 MHz

0.9

1.6

Reverse recovery time

trr

IF = 10 mA

See Fig. 5.1.

Fig. 5.1 Reverse recovery time (trr) Test circuit

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

2018-11-16

Rev.4.0

123 4 5 6

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与1SS226(T5LTST,F)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1SS226(TE85L,F)	TOSHIBA	RECTIFIER DIODES,DOUBLER,85V V(RRM),SOT-23	获取价格
1SS226,LF(T	TOSHIBA	Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 85V V(RRM), Silicon	获取价格
1SS226_07	TOSHIBA	Ultra High Speed Switching Application	获取价格
1SS226_12	PANJIT	SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE	获取价格
1SS226_13	MCC	150mW SWITCHING DIODE	获取价格
1SS226-AH	SWST	小信号开关二极管	获取价格