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1PS76SB10135

更新时间: 2024-11-18 14:46:07
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恩智浦 - NXP 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 68K
描述
DIODE 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

1PS76SB10135 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-PDSO-G2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.37Is Samacsys:N
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.8 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:0.6 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE最大功率耗散:0.2 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:30 V
最大反向电流:2 µA子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

1PS76SB10135 数据手册

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