5秒后页面跳转
1PS76SB10T/R PDF预览

1PS76SB10T/R

更新时间: 2024-11-18 13:03:47
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 整流二极管肖特基二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 33K
描述
DIODE 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC, SC-76, 2 PIN, Signal Diode

1PS76SB10T/R 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SC-76
包装说明:PLASTIC, SC-76, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.69
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.8 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:0.6 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:30 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

1PS76SB10T/R 数据手册

 浏览型号1PS76SB10T/R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1PS76SB10T/R的Datasheet PDF文件第3页浏览型号1PS76SB10T/R的Datasheet PDF文件第4页浏览型号1PS76SB10T/R的Datasheet PDF文件第5页 
DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
, halfpage  
1PS76SB10  
Schottky barrier diode  
1996 Oct 14  
Product specification  

与1PS76SB10T/R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1PS76SB17 NXP

获取价格

4 V, 30 mA low Cd Schottky barrier diode
1PS76SB17 TYSEMI

获取价格

Low forward volatge Guard ring protected Very small plastic SMD package.
1PS76SB17 KEXIN

获取价格

Schottky barrier diode
1PS76SB17 NEXPERIA

获取价格

4 V, 30 mA low capacitance Schottky barrier diodeProduction
1PS76SB17/T1 NXP

获取价格

DIODE SCHOTTKY
1PS76SB17135 NXP

获取价格

SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE
1PS76SB17T/R PHILIPS

获取价格

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.03A, 4V V(RRM),
1PS76SB21 KEXIN

获取价格

Schottky barrier Diodes
1PS76SB21 TYSEMI

获取价格

Ultra fast switching speed Low forward volatge Guard ring protected
1PS76SB21 NEXPERIA

获取价格

40 V, 200 mA Schottky barrier diodeProduction