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1PS76SB17135

更新时间: 2024-11-18 14:48:55
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恩智浦 - NXP 光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 58K
描述
SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE

1PS76SB17135 技术参数

生命周期:Active包装说明:R-PDSO-G2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.2
Is Samacsys:N最小击穿电压:4 V
配置:SINGLE最大二极管电容:1 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:MIXER DIODE
最大正向电压 (VF):0.6 V频带:ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码:R-PDSO-G2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:100 °C
最大输出电流:30 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
最大功率耗散:0.2 W认证状态:Not Qualified
最大反向电流:0.25 µA表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

1PS76SB17135 数据手册

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