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1PS76SB10

更新时间: 2024-11-22 11:14:47
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 191K
描述
Schottky barrier diodeProduction

1PS76SB10 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:1.66
Is Samacsys:N配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
参考标准:AEC-Q101; IEC-60134最大重复峰值反向电压:30 V
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

1PS76SB10 数据手册

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1PS76SB10  
Schottky barrier diode  
1 July 2022  
Product data sheet  
1. General description  
Planar Schottky barrier diode with an integrated guard ring for stress protection, encapsulated in a  
very small SOD323 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.  
2. Features and benefits  
Low forward voltage  
Low capacitance  
3. Applications  
Ultra high-speed switching  
Line termination  
Voltage clamping  
Reverse polarity protection  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
200  
30  
Unit  
mA  
V
IF  
forward current  
reverse voltage  
forward voltage  
-
-
-
-
-
-
VR  
VF  
IF = 10 mA; tp = 300 µs; δ = 0.02;  
pulsed; Tamb = 25 °C  
400  
mV  
 
 
 
 

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