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1N946B

更新时间: 2024-09-15 22:37:47
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管温度补偿测试
页数 文件大小 规格书
2页 77K
描述
11.7 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES

1N946B 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-7
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.73
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:30 ΩJEDEC-95代码:DO-204AA
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:11.7 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max:0.0234 mV/ °C最大电压容差:5%
工作测试电流:7.5 mABase Number Matches:1

1N946B 数据手册

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