1N949

更新时间： 2024-11-28 22:37:47

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美高森美 - MICROSEMI		整流二极管无线
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1页	67K
描述
Optimized for Radio Frequency Response

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1N949 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.74
Is Samacsys：	N	其他特性：	GOLD BOND
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	GERMANIUM	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-7	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	90 °C
最低工作温度：	-78 °C	最大输出电流：	0.07 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N949 数据手册

Gold Bonded

1N949 Germanium Diodes

Optimized for Radio Frequency Response

Can be used in many AM, FM and TV-IF applications, replacing point contact devices.

Applications

AM/FM detectors

DO-7 Glass Package

Ratio detectors

0.018-0.022"

FM discriminators

0.458-.558 mm

TV audio detectors

RF input probes

1.0"

25.4 mm

(Min.)

Length

0.230-0.30"

TV video detectors

Dia

0.085-.107 "

2.16-2.71 mm

5.85-7.62mm

Features

Lower leakage current

Flat junction capacitance

High mechanical strength

At least 1 million hours MTBF

BKC's Sigma-Bond™ plating for

problem free solderability

Absolute Maximum Ratings at T_amb= 25 C unless otherwise specified

Parameter

Peak Inverse Voltage

Peak Forward Surge Current Non-Repetitive, t = 1 Second

Peak Forward Surge Current Repetitive

Average Rectified Forward Current

Symbols

PIV

Min.

Max.

0.5

250

Units

Volts

Amps

I_FSM

I_FSR

I_O

Operating Temperatures

T_{J & Op}

-78

+90

^OC

Storage Temperatures

T_{J & STG}

+100

Electrical Characteristics at T_amb= 25 ^OC

Parameter

TestConditions

Symbols

Min.

Typ.

Max.

Units

Forward Voltage Drop

I_F= 10mA

V_F

0.39

Volts

Reverse Leakage

Breakdown Voltage

V_R= 10 Volts

I_R= 1.0mA

I_R

µA

PIV

Volts

6 Lake Street - Lawrence, MA 01841

Tel: 978-681-0392 - Fax: 978-681-9135

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