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1N950B

更新时间: 2024-11-29 21:11:35
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艾法斯 - AEROFLEX 测试二极管变容二极管
页数 文件大小 规格书
1页 21K
描述
35pF, 150V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7

1N950B 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:O-LALF-W2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.13最小击穿电压:150 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管电容容差:5%最小二极管电容比:14.6667
标称二极管电容:35 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODEJEDEC-95代码:DO-7
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.4 W认证状态:Not Qualified
最小质量因数:7最大重复峰值反向电压:130 V
最大反向电流:1 µA反向测试电压:130 V
子类别:Varactors表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
变容二极管分类:ABRUPTBase Number Matches:1

1N950B 数据手册

  

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